三星电子周四（3月25日）宣布了新一代存储芯片计划，其内存速度将在现有技术的基础上提高一倍，并提供迄今为止最大的容量，从而开启了一场将加速数据中心和超级计算发展的转型。

作为全球最大存储芯片制造商，三星表示，已开发了 512 GB 双倍数据速率5（DDR5）内存模块，基于传统上用于逻辑芯片的 HKMG 制造工艺。

DDR5 的内存速度将是目前 DDR4 的两倍，同时减少泄漏，并减少13%的功耗。

三星表示，预计将在今年下半年开始向 DDR5 的过渡。芯片行业一直期待英特尔即将推出代号为 Sapphire Rapids 的 Xeon 可扩展处理器将采用新的内存标准，并对其提供支持。

三星表示，除了与两家主要的 CPU 供应商英特尔和 AMD 合作，三星还向数据中心平台的开发者发送了新内存样品。

分析师估计，DDR5 芯片将比 DDR4 芯片大20%左右，这将加大半导体供应链的压力。

三星打算今年开始出货，并逐步改进其制造工艺（扩大极端紫外线光刻技术的使用）和定价。该公司表示，DDR5 取代 DDR4 预计将在2023年下半年发生。

此前，三星电子宣布成功开发 DDR5 芯片，可提供更强大、更可靠的性能，支持现代服务器不断增长的需求。

虽然，各大内存厂商纷纷推出了 DDR5 存储产品，但是真正要实现 DDR5 的普及平台的支持才是最大的问题。

但是，目前还没有正式支持 DDR5 内存的平台，AMD 预计会在2021年的 Zen4 处理器上更换插槽，支持 DDR5 内存，而 Intel 这边 14nm 及 10nm 处理器都没有明确过 DDR5 内存支持。

官方路线图显示，2021年的 7nm 工艺 Sapphire Rapids 处理器才会上 DDR5，而且是首发服务器产品，消费级的估计还要再等等。