近期，以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的第三代半导体概念异军突起，在上周五大盘低迷的情况下依然创下较好的市场表现。人们的关注点也开始聚焦在半导体身上。

很多人可能人云亦云，跟风购买了半导体股票、基金，但多数人连半导体是什么都没搞清楚，而“第三代半导体”又是何方神圣？

在我国发力“新基建”的背景下，第三代半导体材料成了非常重要的技术支撑。今年4月，国家发改委首次官宣“新基建”的范围，正式定调了5G基建、人工智能、工业互联网等七大领域的发展方向。

而以氮化镓、碳化硅为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料。比如， 以氮化镓为核心的射频半导体，支撑着5G基站及工业互联网系统的建设；以碳化硅以及为核心的功率半导体，支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设。

由此可见，第三代半导体的确是一大风口，值得长期关注。

但是，半导体板块当前的平均估值较高，市场已经给予了较大的预期，投资需要把握企业的成长价值，避免跟风炒作。

半导体原料共经历了三个发展阶段：

第一阶段是以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体原料；

第二阶段是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；

第三阶段是以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnSe）等宽带半导体原料为主。

第三代半导体材料

起源时间：美国早在1993年就已经研制出第一支氮化镓的材料和器件，而我国最早的研究队伍——中国科学院半导体研究所在1995年也起步该方面的研究，并于2000年做出HEMT结构材料。

发展现状：在5G通信、新能源汽车、光伏逆变器等应用需求的明确牵引下，目前，应用领域的头部企业已开始使用第三代半导体技术，也进一步提振了行业信心和坚定对第三代半导体技术路线的投资。

性能分析：与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度(>2.2eV)、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。

第三代半导体是中国反制美国芯片封锁的弯道超车的机会。