日前有媒体报道称，台积电已经成功开发了 2nm 工艺，而 2nm 工厂预计将落脚于新竹科学园区宝山园区，且台积电也持续积极布局 2nm 以下的先进制程，传闻可能会在高雄设厂。

至于 2nm 的进度，消息称台积电将在2023年上半年进行风险生产，2024年开始批量生产。不过，台积电对此消息回应称，目前已投入 2nm 制程技术研发，尚无具体量产时间。

台积电过去约每2年推进一个世代制程技术，今年下半年 5nm 制程大量生产，3nm 预计2022 年下半年量产（资料显示，台积电 3nm 工艺比 5nm 工艺的晶体管密度高70%，性能提高15%，功耗降低30%）。因此，外界推测，台积电 2nm 大约会在2025年之前量产。

与此同时，根据中国台湾地区经济部能源局公告显示，2022年到2023年应备总供电容量增加近100万千瓦，2024年到2025年进一步大增257.6万千瓦。由于台积电是台湾的用电大户，从台湾供电容量的增加幅度来看，外界猜测，台积电 2nm 制程有望于2025 年前量产，与台湾用电负载激增时间吻合。
台积电造的每一颗芯片需要经过数千道工序才能完工，而这其中需要利用大量的半导体设备，并一直维持恒温、高压等各种复杂环境，这一切都需要电，造的芯片越多、制程越先进，用的电就越多。

数据显示，先进制程机台用电量占台积电公司能源使用50%以上，同时考虑先进制程机台数量逐年增加，台积电对于电能的消耗将进一步快速增长。

由于 7nm 以下的先进工艺制程必须要使用 EUV 光刻机，而 EUV 光刻机的大量使用将会对台湾的供电能力提出巨大挑战。

SK 海力士此前曾表示，“EUV 的能源转换效率（wall plug efficiency）只有0.02%左右。”而造成转换率低的一大原因是，极紫外光本身的损耗过大。

极紫外光物理特性与一般常见的紫外光差异极大。这种光非常容易被吸收，连空气都不透光，所以整个生产环境必须抽成真空；同时，也无法以玻璃透镜折射，必须以硅与钼制成的特殊镀膜反射镜，来修正光的前进方向，而且每一次反射仍会损失三成能量，但一台 EUV 机台得经过十几面反射镜，将光从光源一路导到晶圆，最后大概只能剩下不到2%的光线。

这也是 EUV 机台如此耗电的主因之一。

如果按照前面的EUV能源转换效率只有0.02%来计算，目前先进的能输出 250W 功率的 EUV 的机台，需要输入0.125万千瓦的电力才能达到，这个耗电量是传统氩氟雷射的10倍以上。换句话来说，就是一台输出功率 250W 的 EUV 机器工作一天，将会消耗3万度电，这个数字确实吓人。

根据芯智讯了解，要想达到 250W 功率的 EUV 输出，需要将多台 13KW CO2 激光器串联接通达到所需的功率要求，最终从等离子体源产生所需的 EUV 光输出。高科技产生极紫外光的过程非常低效，过去被人们比拟为“用核反应堆提供动力”，但也成为了满足半导体工业批量生产要求扩展 EUV 输出功率的唯一可行方式。

另外需要指出的是，如此大的耗电量也不可避免的带来了很大的发热量，因此需要部署相应的冷却系统，而这也将非常的耗电。

根据今年7月台湾媒体的报道称，随着台积电 5nm 的大规模量产，台积电今年的单位产品用电量相比去年上升了17.9%，而该公司拟定的目标则为降低11.5%。台媒称，以执行力著称的台积电管理团队，如此大幅落后设定目标，是极罕见的事。

台积电对此解释称，随着新制程技术与制程复杂度增加，新制程机台用电量上升，导致 10nm 以下制程产品用电量较 16nm 以上的制程倍增。有分析称，极可能是 EUV 导入的速度与量产之后的耗电量超乎预期。

根据预计，一个 7nm 的 EUV 产线可能只需要1台 ASML EUV 光刻机 NXE 3400B 即可，但是到了 3nm 制程产线，如果继续用 NXE 3400B，就可能需要4台才能实现，耗电量将更为惊人。

不过，ASML 也正在提升光刻机的效率，比如已推出的改进的 NXE：3400C的产能从之前的125 WPH（每小时处理晶圆数）提升到了175 WPH，同时还将推出针对 3nm 及以下制程的 EXE：5000系列 EUV 光刻机。希望届时新的 EUV 光刻机能够进一步提升能效比。但是，单机的能耗恐怕难以实现大幅的降低。

根据之前的预测，台积电 3nm 半导体制造厂开启后，预计年耗电量将达到70亿度。而等到 2nm 制程 Fab 的量产，其耗电量必然将再度上升到一个新的台阶，未来台积电的用电量将有可能超过台湾总电量的10%。

需要指出的是，由于台湾的煤炭、石油、天然气、水利资源都比较匮乏，这也导致了台湾所需的能源99%需要靠进口。更为关键的是，在2011年日本大地震导致日本福岛第一核电站发生泄露之后，台湾就开始逐步“去核化”，这也进一步加重了台湾的能源危机。