SK海力士2月25日发布消息称，韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂于昨日正式破土动工。SK海力士去年7月通过董事会决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合66亿美元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM存储芯片生产基地。